台积电自曝2nm晶体管新结构：终于告别FinFET

12月22日，中国集成电路设计业2021年会暨无锡集成电路产业创新发展高峰论坛（iccad 2021）举行。

据媒体报道，会上，台积电南京公司总经理罗镇球表示，台积电将于明年3月推出5nm汽车电子工艺平台，汽车工艺产品会符合所有汽车安全规则。

同时，他还透露，台积电将在2nm节点推出nanosheet/nanowire的晶体管架构并采用新的材料。

罗镇球最后表示台积电从今年开始大幅提升资本开支，在2021年-2023年，会在已扩产的基础上投资超过1000亿美元。

nanosheet/nanowire晶体管应该取代的是finfet（鳍式场效应晶体管），不同于三星在3nm上直接上马gaa（环绕栅极晶体管），台积电3nm（至少第一代）仍延续finfet。

资料显示，finfet（又称3d晶体管）系华人教授胡正明于1999年发明，他出生于北京豆芽菜胡同，曾任台积电首席技术官。finfet第一代由intel在2012年的22nm节点应用量产，当时台积电、三星还停留在28nm工艺。

直到bulk cmos工艺技术在20nm走到尽头之后，胡教授发明的finfet和fd-soi工艺得以使三星/台积电的14nm/16nm延续摩尔定律传奇至今。

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