三星将推出第八代V-NAND闪存：层数超过200、512GB仅厚0.8mm

作为全球nand闪存市场的一哥，三星在3d闪存上又要领先其他厂商了，日前在三星技术论坛上，三星公布了第八代v-nand的细节，堆栈层数超过200层，容量可达1tbit，512gb容量的厚度也只有0.8mm，可用于手机。

三星的v-nand闪存现在演员发展到了第七代v-nand v7，堆栈层数176层，tlc版核心容量512gbit，而即将推出的v-nand v8层数将超过200——三星没提到具体多少层，但之前的报道中指出是228层，提升30%左右，存储密度提升了40%左右。

v-nand v8闪存的单颗核心容量也从之前的512gbit翻倍到了1tbit，同时性能也更强，io接口速率从2gbps提升到了2.4gbps，性能更适配最新的pcie 5.0标准。

得益于存储容量更大. v-nand v8闪存的厚度依然可以控制在合理水平，封装512gb容量也不超过0.8mm，可以用于新一代智能手机。

在未来，三星的v-nand闪存堆栈层数还会进一步提升，路线图中的目标是超过500层，这被视为3d闪存的极限，不过三星还在想法突破，最终能制造1000层堆栈的3d闪存。

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