OLED驱动芯片SSD1306解读

驱动OLED实际上是控制的OLED的驱动控制芯片。一般常用的芯片SSD1306等。这里以此芯片为例解读一下，也是自己的扫盲片作为自己学习过程中的笔记。有不对的地方欢迎指出。大佬绕过！

一般我们购买一块OLED屏。一般的屏厂家帮我们设置好了好几种单片机与屏通信接口。比如：SPI （3线或4线）、IIC、6800接口、8080接口等。
默认是其中一种，但是我们相用其他的通信接口，我们只需简单的条线就可以实现。这其实还是控制的SSD1306的驱动芯片来实现的，与屏没有多大的关系。

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SSD1306是一个单芯片CMOS OLED/PLED驱动器与控制器，用于有机/聚合物发光二极管点阵图形显示系统。它由128段和64公地组成。这种集成电路专为普通阴极型OLED面板设计。

SSD1306嵌入了对比度控制、显示RAM和振荡器，减少了显示器的数量外部元件和功耗。它有256步亮度控制。数据/命令通过硬件可选的通用MCU 6800/8000系列兼容并行接口发送，I2C接口或串行外围设备接口。它适用于许多紧凑的便携应用程序，例如手机子显示器、MP3播放器、计算器等

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注意：
（1）阴极OLED。这个是由芯片限制了OLED的极性。
（2）128段和64公共地----->横向128个点纵向64个点


单片机接口的选择
SSD1306单片机接口由8个数据引脚和5个控制引脚组成。不同接口的pin分配模式如表8-1所示。在BS[2:0]引脚上通过硬件选择可以设置不同的MCU模式(BS[2:0]设置见表7-1)。

6800接口：

The parallel interface consists of 8 bi-directional data pins (D[7:0]), R/W#, D/C#, E and CS#
接口线：
6800双向数据接口有8个数据线，
一个R/W#(读写控制线【低电平表示写，高电平表示读】)、
一个D/C#（数据/命令选择线【低电平表示命令，高电平表示数据】）、
E（总使能线）、
CS#（片选【低电平有效】）。

（1）R/W# 线，给低电平信号表示向芯片写数据，给高电平表示从芯片读数据。
（2）D/C#线，给低电平表示命令的读或写，给高电平表示数据的读或写。
图标的含义：
（1）在E引脚的下降沿期间：CS#低电平表示芯片选中（选中芯片是读写的前提）：
R/W# 低电平-----D/C#低电平表示：写命令
R/W# 低电平-----D/C#高电平表示：写数据
R/W# 高电平-----D/C#低电平表示：读命令
R/W# 高电平-----D/C#高电平表示：读数据

8080接口：

The parallel interface consists of 8 bi-directional data pins (D[7:0]), RD#, WR#, D/C# and CS#。
接口线：
8个双向数据端口、
RD#（读使能【低电平有效】）、
WR#（写使能【低电平有效】） 、
D/C# （数据/命令选择【高电平数据，低电平命令】）
CS#（片选【低电平有效】）。

时序解读：当cs#保持较低时，wr#输入的上升边作为数据/命令写锁存信号



写命令：CS#为低电平，D/C#为低电平，WR#为低电平，RD#为高电平。
片选信号发出选择从机----->给一个命令信号或者数据信号并保持----->RD#读信号由高到低期间（制造一个下降沿）把要发送的数据或命令房嫂数据线上。
…
…
…

4线SPI：

The 4-wire serial interface consists of serial clock: SCLK, serial data: SDIN, D/C#, CS#. In 4-wire SPI mode
接口线：
SCLK：时钟线
SDIN：数据线
D/C#：数据或命令线（低电平命令线，高电平数据线）
CS#：片选线（低电平有效）


时序解读：
片选选中—>命令还是数据设置好---->设置时钟上升沿（SCLK拉低延时一段时间再拉高）期间把数据放到数据线上。

3线SPI：SCLK、SDIN、CS# 这三条线，而没有D/C# 线。 只允许写操作。时序操作与4线一样。

IIC接口：就是IIC时序 ：通讯协议IIC解读

OLED简介：

OLED分布图：
横向128个点，纵向64个点，纵向64个点又分成8页，每一页8个点。

SSD1306有3种不同的内存寻址模式:页面寻址模式、水平寻址模式和垂直寻址模式。这个命令将内存寻址的方法设置为上述方法之一
三种模式

在页面寻址模式中，在读取/写入显示RAM之后，列地址指针增加自动加1。如果列地址指针到达列结束地址，则列地址指针重置为列起始址和页地址指针不改变。用户必须设置新页面和列地址，以便访问下一页RAM内容页和移动的顺序页面寻址模式的列地址点如图10-1所示

在正常显示数据RAM的读或写和页寻址模式下，需要以下步骤定义启动RAM访问指针位置:
•通过命令B0h将目标显示位置的页面起始地址设置为B7h。
•通过命令00h~0Fh设置指针的较低起始列地址。
•通过命令10h~1Fh设置指针的上开始列地址。
例如，如果页面地址设置为B2h，低列地址为03h，高列地址为00h，
这意味着开始列是PAGE2的SEG3。RAM访问指针的位置如图所示：

void OLED_Set_Pos(unsigned char x, unsigned char y) 
{ 
	OLED_WR_Byte(0xb0+y,OLED_CMD);   //设置页地址b0-b7  表示1-8页
	OLED_WR_Byte((((x)&0xf0)>>4)|0x10,OLED_CMD);    //通过命令10h~1Fh设置指针的上开始列地址
	OLED_WR_Byte(((x)&0x0f),OLED_CMD);   			//通过命令00h~0Fh设置指针的较低起始列地址
}  

关于此处的讲解可以看数据手册对照博主的文章：STM32学习笔记—OLED页寻址方式

水平寻址方式(A[1:0]=00b)

在水平寻址模式下，读取/写入显示RAM后，列地址指针增加自动加1。如果列地址指针到达列结束地址，则列地址指针重置为列起始地址，页面地址指针增加1。水平寻址模式的页面和列地址点如图10-3所示。当页面地址指针到达结束地址时，指针被重置为列开始地址和页面开始地址

垂直寻址方式:(A[1:0]=01b)

在垂直寻址模式下，读取/写入显示RAM后，页面地址指针增加自动加1。如果页面地址指针到达页面结束地址，页面地址指针将被重置页开始地址和列地址指针增加1。页面移动的顺序垂直寻址模式的列地址点如图10-4所示。当列和页同时地址指针到达结束地址时，指针被重置为列开始地址和页开始地址