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西数发布iNAND EU511闪存芯片:UFS 3.0、写入达750MB/s

程序员文章站 2022-07-04 11:41:58
三星s10似乎并未配备lpddr5内存和ufs 3.0闪存,不过折叠屏galaxy fold则内建了512gb ufs 3.0闪存。 事实上,lpddr5由于刚刚公布...

三星s10似乎并未配备lpddr5内存和ufs 3.0闪存,不过折叠屏galaxy fold则内建了512gb ufs 3.0闪存。

事实上,lpddr5由于刚刚公布正式规范,按计划2020年才会登陆消费级产品。而ufs 3.0闪存则提前不少,但可能因为成本和支持的soc(仅骁龙855、三星exynos 9820等)较少的缘故,大规模的普及还需要酝酿。

mwc 2019期间,western digital(西部数据)发布了inand mc eu511闪存芯片,采用96层3d nand,符合ufs 3.0规范

性能方面,基于smartslc generation 6,顺序写入速度高达750mb/s

西数发布iNAND EU511闪存芯片:UFS 3.0、写入达750MB/s

容量方面,单芯片64gb起步,最大512gb。

此前,inand产品归属与sandisk(闪迪),可以看出被西数收购后,后者要进一步强化统一化的品牌管理,机械硬盘领域的hgst(昱科)也是一样道理。

当然,ufs 3.0设计的最高数据传输速率可达2.9gb/s。

西数发布iNAND EU511闪存芯片:UFS 3.0、写入达750MB/s