内存又要跌价了？SK海力士计划在M16工厂引入EUV光刻机

在进入20nm节点之后，内存工业也面临着cpu工艺一样的制造难题，微缩越来越困难，制造工艺复杂，导致内存成本居高不下。如今7nm以下的处理器用上了euv光刻机，内存很快也要跟进了，sk海力士计划在韩国m16工厂引入euv工艺。

与目前大量在用的duv光刻相比，euv光刻机可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而可以减少生产时间、降低成本，并提高性能。

内存用上euv工艺之后，内存颗粒的制造成本理论上是会下降的，这也为内存降价奠定基础，不过euv初期来说就很难了，因为euv光刻机售价将近10亿元人民币，新建euv产线的成本是非常高的，需要时间消化。

据韩国媒体报道，sk海力士已经成立了专门的研究小组攻克euv工艺，从去年就开始投资euv中可能用到的tf材料，相关研究由副总裁郑泰佑负责，他是蚀刻技术的专家，曾参与sk海力士首个10nm dram“arius”的开发项目以及下一代nand闪存的研发。

sk海力士也在推进建设euv dram内存生产线的建设，预计在韩国利川市的m16工厂中开始引入。

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责任编辑：宪瑞