ASML介绍新一代高NA EUV光刻机：芯片缩小1.7倍、密度增加2.9倍

按照业内预判，2025年前后半导体在微缩层面将进入埃米尺度（Å，angstrom，1埃 = 0.1纳米），其中2025对应a14（14Å=1.4纳米）。

除了新晶体管结构、2d材料，还有很关键的一环就是high na（高数值孔径）euv光刻机。根据asml（阿斯麦）透露的最新信息，第一台原型试做机2023年开放，预计由imec（比利时微电子研究中心）装机，2025年后量产，第一台预计交付intel。

gartner分析师alan priestley称，0.55na下一代euv光刻机单价将翻番到3亿美元。

那么这么贵的机器，到底能实现什么呢？

asml发言人向媒体介绍，更高的光刻分辨率将允许芯片缩小1.7倍、同时密度增加2.9倍。未来比3nm更先进的工艺，将极度依赖高na euv光刻机。

当然，asml并不能独立做出高na euv光刻机，还需要德国蔡司以及日本光刻胶涂布等重要厂商的支持。

asml现售的0.33na euv光刻机拥有超10万零件，需要40个海运集装箱或者4架喷气货机才能一次性运输完成，单价1.4亿美元左右。

去年asml仅仅卖了31台euv光刻机，今年数量提升到超100台。

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