DDR内存和DDR2内存的区别
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2022-06-27 12:26:42
DDR内存和DDR2内存的区别 与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备... 10-09-08...
与ddr相比，ddr2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于ddr内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个dram核心来实现的。作为对比，在每个设备上ddr内存只能够使用一个dram核心。技术上讲，ddr2内存上仍然只有一个dram核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
与双倍速运行的数据缓冲相结合，ddr2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统ddr内存可以处理的2bit数据高了一倍。ddr2内存另一个改进之处在于，它采用fbga封装方式替代了传统的tsop方式。
然而，尽管ddr2内存采用的dram核心速度和ddr的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配ddr2内存，因为ddr2的物理规格和ddr是不兼容的。首先是接口不一样，ddr2的针脚数量为240针，而ddr内存为184针；其次，ddr2内存的vdimm电压为1.8v，也和ddr内存的2.5v不同。
ddr2的定义：ddr2（double data rate 2）
sdram是由jedec（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代ddr内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但ddr2内存却拥有两倍于上一代ddr内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，ddr2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于ddr2标准规定所有ddr2内存均采用fbga封装形式，而不同于目前广泛应用的tsop/tsop-ii封装形式，fbga封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为ddr2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起ddr的发展历程，从第一代应用到个人电脑的ddr200经过ddr266、ddr333到今天的双通道ddr400技术，第一代ddr的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的ddr2内存将是大势所趋。
ddr2与ddr的区别：在了解ddr2内存诸多新技术前，先让我们看一组ddr和ddr2技术对比的数据。
1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，ddr2的实际工作频率是ddr的两倍。这得益于ddr2内存拥有两倍于标准ddr内存的4bit预读取能力。换句话说，虽然ddr2和ddr一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但ddr2拥有两倍于ddr的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100mhz的工作频率下，ddr的实际频率为200mhz，而ddr2则可以达到400mhz。 这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的ddr和ddr2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，ddr 200和ddr2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，ddr2-400和ddr 400具有相同的带宽，它们都是3.2gb/s，但是ddr400的核心工作频率是200mhz，而ddr2-400的核心工作频率是100mhz，也就是说ddr2-400的延迟要高于ddr400。
2、封装和发热量： ddr2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于ddr的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，ddr2可以获得更快的频率提升，突破标准ddr的400mhz限制。 ddr内存通常采用tsop芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200mhz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是ddr的核心频率很难突破275mhz的原因。而ddr2内存均采用fbga封装形式。不同于目前广泛应用的tsop封装形式，fbga封装提供了更好的电气性能与散热性，为ddr2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 ddr2内存采用1.8v电压，相对于ddr标准的2.5v，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。//本文来自www.jb51.net转载请注明
ddr2采用的新技术：除了以上所说的区别外，ddr2还引入了三项新的技术，它们是ocd、odt和post cas。 ocd（off-chip driver）：也就是所谓的离线驱动调整，ddr ii通过ocd可以提高信号的完整性。
ddr ii通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用ocd通过减少dq-dqs的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
odt：odt是内建核心的终结电阻器。我们知道使用ddr sdram的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。ddr2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用ddr2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是ddr不能比拟的。
post cas：它是为了提高ddr ii内存的利用效率而设定的。在post cas操作中，cas信号（读写/命令）能够被插到ras信号后面的一个时钟周期，cas命令可以在附加延迟（additive latency）后面保持有效。原来的trcd（ras到cas和延迟）被al（additive latency）所取代，al可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于cas信号放在了ras信号后面一个时钟周期，因此act和cas信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，ddr2采用了诸多的新技术，改善了ddr的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。
与双倍速运行的数据缓冲相结合，ddr2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统ddr内存可以处理的2bit数据高了一倍。ddr2内存另一个改进之处在于，它采用fbga封装方式替代了传统的tsop方式。
然而，尽管ddr2内存采用的dram核心速度和ddr的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配ddr2内存，因为ddr2的物理规格和ddr是不兼容的。首先是接口不一样，ddr2的针脚数量为240针，而ddr内存为184针；其次，ddr2内存的vdimm电压为1.8v，也和ddr内存的2.5v不同。
ddr2的定义：ddr2（double data rate 2）
sdram是由jedec（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代ddr内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但ddr2内存却拥有两倍于上一代ddr内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，ddr2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于ddr2标准规定所有ddr2内存均采用fbga封装形式，而不同于目前广泛应用的tsop/tsop-ii封装形式，fbga封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为ddr2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起ddr的发展历程，从第一代应用到个人电脑的ddr200经过ddr266、ddr333到今天的双通道ddr400技术，第一代ddr的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的ddr2内存将是大势所趋。
ddr2与ddr的区别：在了解ddr2内存诸多新技术前，先让我们看一组ddr和ddr2技术对比的数据。
1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，ddr2的实际工作频率是ddr的两倍。这得益于ddr2内存拥有两倍于标准ddr内存的4bit预读取能力。换句话说，虽然ddr2和ddr一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但ddr2拥有两倍于ddr的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100mhz的工作频率下，ddr的实际频率为200mhz，而ddr2则可以达到400mhz。 这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的ddr和ddr2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，ddr 200和ddr2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，ddr2-400和ddr 400具有相同的带宽，它们都是3.2gb/s，但是ddr400的核心工作频率是200mhz，而ddr2-400的核心工作频率是100mhz，也就是说ddr2-400的延迟要高于ddr400。
2、封装和发热量： ddr2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于ddr的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，ddr2可以获得更快的频率提升，突破标准ddr的400mhz限制。 ddr内存通常采用tsop芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200mhz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是ddr的核心频率很难突破275mhz的原因。而ddr2内存均采用fbga封装形式。不同于目前广泛应用的tsop封装形式，fbga封装提供了更好的电气性能与散热性，为ddr2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 ddr2内存采用1.8v电压，相对于ddr标准的2.5v，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。//本文来自www.jb51.net转载请注明
ddr2采用的新技术：除了以上所说的区别外，ddr2还引入了三项新的技术，它们是ocd、odt和post cas。 ocd（off-chip driver）：也就是所谓的离线驱动调整，ddr ii通过ocd可以提高信号的完整性。
ddr ii通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用ocd通过减少dq-dqs的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
odt：odt是内建核心的终结电阻器。我们知道使用ddr sdram的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。ddr2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用ddr2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是ddr不能比拟的。
post cas：它是为了提高ddr ii内存的利用效率而设定的。在post cas操作中，cas信号（读写/命令）能够被插到ras信号后面的一个时钟周期，cas命令可以在附加延迟（additive latency）后面保持有效。原来的trcd（ras到cas和延迟）被al（additive latency）所取代，al可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于cas信号放在了ras信号后面一个时钟周期，因此act和cas信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，ddr2采用了诸多的新技术，改善了ddr的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。