三星3nm技术指标曝光：连Intel 7nm都不如

10nm及更先进的制程工艺，目前只有intel、台积电和三星实现了量产。

日前，digitimes整理了三大晶圆厂在10nm、7nm、5nm、3nm、2nm的技术指标演进对比图，这里使用的是晶体管密度（每平方毫米晶体管数量）。

10nm时代，intel做到了每平方毫米1.06亿颗晶体管，是台积电和三星的两倍。

7nm时代，intel预估可以做到每平方毫米1.8亿颗晶体管，台积电9700万颗/平方毫米、三星9500万颗/平方毫米。

5nm时代，intel预估可以做到每平方毫米3亿颗晶体管，台积电1.73亿颗/平方毫米、三星1.27亿颗/平方毫米。

这样来看的话，intel的10nm相当于台积电/三星7nm、intel 7nm相当于台积电/三星5nm的说法有一定道理。

不过，从5nm可以明显看出，在晶体管密度上，三星已经明显落后。

放眼3nm，台积电大概可以做到2.9亿颗/平方毫米，三星可以做到1.7亿颗/平方毫米，三星的指标甚至连intel 7nm都不如。

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