1γ节点开始导入 美光确认EUV工艺DRAM内存芯片2024年量产

cpu、gpu为代表的逻辑工艺制程进入7nm之后，euv光刻工艺是少不了的，现在内存还停留在10nm工艺级别，暂时没用到euv工艺。不过三星、sk海力士及美光也确定未来会用，其中美光的euv工艺内存在2024年量产。

美光ceo sanjay mehrotra日前在采访中确认，美光已将euv技术纳入dram技术蓝图，将由10nm世代中的1γ（gamma）工艺节点开始导入。

美光euv工艺dram将会先在台中a3厂生产，预计2024年进入量产阶段。

注意，这个是1γ工艺，不是之前的1y工艺，10nm级别的内存工艺中前三代是1x、1y、1z，再往后是1a、1β、1γ等。

在美光之前，三星及sk海力士都更早进入了euv节点，从去年底就开始部署euv光刻工艺了，而且比美光更激进，最快在1a工艺节点就会量产euv内存芯片。

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