欢迎您访问程序员文章站本站旨在为大家提供分享程序员计算机编程知识!
您现在的位置是: 首页  >  科技

准确率98%!三星全球首秀MRAM磁阻内存内计算

程序员文章站 2022-06-18 18:37:55
三星半导体宣布,通过结构创新,实现了基于mram(磁阻随机存取存储器)的内存内计算(in-memory computing),进一步拓展了三星的下一代低功耗人工智能芯片技术的前沿领域。在传统的计算体系...

三星半导体宣布,通过结构创新,实现了基于mram(磁阻随机存取存储器)的内存内计算(in-memory computing),进一步拓展了三星的下一代低功耗人工智能芯片技术的前沿领域。

在传统的计算体系中,内存中的数据要转移到处理芯片的数据计算单元中进行处理,对于带宽、时延要求非常高。

内存内计算则是一种新的计算模式,也可以叫做“存算一体化”,在内存中同时执行数据存储、数据计算处理,无需往复移动数据。

同时,内存网络中的数据处理是以高度并行的方式执行,因此提高性能的同时,还能大大降低功耗。

对比其他存储器,mram磁阻内存在运行速度、寿命、量产方面都有明显优势,功耗也远低于传统dram,关键是还具有非易失的特点,即断电不会丢失数据。

不过一直以来,mram磁阻内存很难用于内存内计算,因为它在标准的内存内计算架构中无法发挥低功耗优势。

三星研究团队设计了一种名为“电阻总和”(resistance sum)的新型内存内计算架构,取代标准的“电流总和”(current-sum)架构,成功开发了一种能演示内存内计算架构的mram阵列芯片,命名为“用于内存内计算的磁阻内存交叉阵列”(crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing)。

这一阵列成功解决了单个mram器件的小电阻问题,从而降低功耗,实现了基于mram的内存内计算。

按照三星的说法,在执行ai计算时,mram内存内计算可以做到98%的笔迹识别成功率、93%的人脸识别准确率。

准确率98%!三星全球首秀MRAM磁阻内存内计算

- the end -

转载请注明出处:快科技