STM32F407HAL用FLASH写掉电保存
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2022-03-11 11:13:17
STM32F407HAL用FLASH写掉点保存FLASH工作流程写数据流程:Flash解锁——擦除扇区——写数据到指定空间——上锁写保护;读数据流程:从指定地址读出指定长度数据。源文件flash.c写法STMFLASH_GetFlashSector函数用于判断写入的起始地址在哪个扇区,返回所在扇区,之后对该扇区进行擦除等操作。uint32_t STMFLASH_ReadWord(uint32_t faddr){return *(__IO uint32_t*)faddr; }//获取某...
FLASH工作流程
写数据流程:Flash解锁——擦除扇区——写数据到指定空间——上锁写保护;
读数据流程:从指定地址读出指定长度数据。
源文件flash.c写法
STMFLASH_GetFlashSector函数用于判断写入的起始地址在哪个扇区,返回所在扇区,之后对该扇区进行擦除等操作。
uint32_t STMFLASH_ReadWord(uint32_t faddr)
{
return *(__IO uint32_t*)faddr;
}
uint8_t STMFLASH_GetFlashSector(uint32_t addr)
{
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_SECTOR_0;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_SECTOR_1;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_SECTOR_2;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_SECTOR_3;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_SECTOR_4;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_SECTOR_5;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_SECTOR_6;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_8)return FLASH_SECTOR_7;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_9)return FLASH_SECTOR_8;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return FLASH_SECTOR_9;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return FLASH_SECTOR_10;
return FLASH_SECTOR_11;
}
写入函数需要用的是HAL库,解锁之前首先定义结构体,并判断写入地址是否合法。之后进行解锁,擦除掉对应的扇区并进行写入,擦除是一次擦除一个扇区,写入是一个数一个数写入,最后进行上锁。
读出函数的起始地址要和之前写入的地址一致,之后存入定义的数组中。
上面两个函数的输入分别为起始地址,要读写的数组以及数组内数的个数。
void STMFLASH_Write(uint32_t Addr,uint32_t *pBuffer,uint32_t Num)
{
FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
uint32_t SectorError=0;
uint32_t addrx=0;
uint32_t endaddr=0;
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return; //非法地址
HAL_FLASH_Unlock(); //解锁
addrx=WriteAddr; //写入的起始地址
endaddr=WriteAddr+Num*4; //写入的结束地址
if(addrx<0X080C1000)
{
while(addrx<endaddr)
{
if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF) {
FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS; //擦除类型,扇区擦除
FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx); //要擦除的扇区
FlashEraseInit.NbSectors=1; //一次只擦除一个扇区
FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3; //电压范围,VCC=2.7~3.6V之间!!
if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK)
{
break;//发生错误了
}
}else addrx+=4;
FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成
}
}
FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成
if(FlashStatus==HAL_OK)
{
while(WriteAddr<endaddr)//写数据
{
if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据
{
break; //写入异常
}
WriteAddr+=4;
pBuffer++;
}
}
HAL_FLASH_Lock(); //上锁
}
void STMFLASH_Read(uint32_t Addr,uint32_t *pBuffer,uint32_t size)
{
uint32_t i;
for(i=0;i<size;i++)
{
pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.
ReadAddr+=4;//偏移4个字节.
}
}
头文件flash.h
这里的11个扇区分别对应这STM32F407的主寄存器的扇区。
#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 //STM32 FLASH的起始地址
#define FLASH_WAITETIME 50000 //FLASH等待超时时间
//FLASH 扇区的起始地址
#define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) //扇区0起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) //扇区1起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint32_t)0x08008000) //扇区2起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3 ((uint32_t)0x0800C000) //扇区3起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_4 ((uint32_t)0x08010000) //扇区4起始地址, 64 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_5 ((uint32_t)0x08020000) //扇区5起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6 ((uint32_t)0x08040000) //扇区6起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7 ((uint32_t)0x08060000) //扇区7起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_8 ((uint32_t)0x08080000) //扇区8起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_9 ((uint32_t)0x080A0000) //扇区9起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_10 ((uint32_t)0x080C0000) //扇区10起始地址,128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_11 ((uint32_t)0x080E0000) //扇区11起始地址,128 Kbytes
uint32_t STMFLASH_ReadWord(uint32_t faddr); //读出字
void STMFLASH_Write(uint32_t WriteAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToWrite); //从指定地址开始写入指定长度的数据
void STMFLASH_Read(uint32_t ReadAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToRead); //从指定地址开始读出指定长度的数据
main函数应该添加的
在断电的时候将你要保存的6个数写入到该地址,注意这个地址是要在你上方定义的那11个地址的范围内,如果超出,擦除的扇区就检测不对,无法正常写入。再就是该地址需要是空闲的地址,不能影响程序的正常工作。(要存的这6个数是8位的,被强制转为32位写入)
if(掉电)
{
uint8_t TEXT[6];
TEXT[0] = Set_A;;
TEXT[1] = Set_B;
TEXT[2] = Set_C;
TEXT[3] = Set_E;
TEXT[4] = Set_F;
TEXT[5] = Set_G;
STMFLASH_Write(0x800C0000,(uint32_t*)TEXT,6);
}
读出的地址注意要与写入地址相同,再一个就是我们读出的这六个数都是32位的,而我们需要的数是8位的,因此这里加上uint8_t强制转为32位的,这样就可以正常工作,实现掉电保存。
if(上电)
{
uint8_t INXT[6];
STMFLASH_Read(0x800C0000,(uint32_t*)INXT,6);
uint8_t Set_A = INXT[0];
uint8_t Set_B = INXT[1];
uint8_t Set_C = INXT[2];
uint8_t Set_E = INXT[3];
uint8_t Set_F = INXT[4];
uint8_t Set_G = INXT[5];
}
新手小结
本人这是第一次写博客,写这篇主要是因为自己用HAL库写掉点保存的时候在网上总是查不到比较全的方法,自己东拼西凑最后也实现了这个功能,可能里面也有许多写的很粗糙的地方,希望各位大大批评指正,也希望我这篇文章能帮到跟我一样用HAL库写掉电保存很难受的问题,O(∩_∩)O~。
本文地址:https://blog.csdn.net/chenzhen1223/article/details/108754049