三星EUV极紫外光刻工厂量产：7/6/5/4/3nm都能用

三星宣布，位于韩国京畿道华城市的v1工厂已经开始量产7nm 7lpp、6nm 6lpp工艺，这也是全球第一座专门为euv极紫外光刻工艺打造的代工厂。

据介绍，三星7lpp、6lpp工艺主要生产先进的移动soc芯片，本季度内陆续出货，具体客户均未披露，不过看起来7lpp会是对外代工主力，6lpp则可能是三星自用，或者仅限特定客户。

按照三星的说法，6lpp相比于7lpp可将晶体管密度增加约10％，并降低功耗，但彼此互相兼容，针对7lpp工艺设计的ip可以直接复用，从而大大降低成本。

在路线图上，三星还规划了5lpe、4lpe、3gae、3gap等更先进的工艺，都会使用euv极紫外光刻，其中5nm、4nm都可以算作7nm工艺的深度升级，3nm则是全新设计。

高通刚刚发布的第三代5g基带骁龙x60就采用三星5nm工艺制造，3nm则会在今年完成开发，放弃使用多年的finfet晶体管架构。

三星v1工厂2018年2月开工建设，2019年下半年开始试产，未来将迅速扩大产能，到今年底7lpp euv和更新工艺的总产能将是去年底的三倍，累计投资也将达60亿美元。