ARM牵手GF格芯：成功流片12nm高性能3D芯片

3d闪存已然成为ssd产品线中的主要技术流派，现在看来，arm芯片也要朝这个方向发展。

globalfoundries (gf，格芯)本周宣布，成功基于自家的12nm finfet工艺（12lp）流片了高性能的arm 3d芯片。

格芯称，此次突破意味着能效更优秀的高密度移动芯片、无线芯片、ai/ml解决方案成为可能。

3d芯片说白了相当于盖楼，它不仅可以减少芯片面积，还能提高内部的互联速度，减少延迟。去年，intel首次对外公开了自家的fevoros 3d堆叠芯片技术，amd更是从率先应用hbm显存开始就表现出对2.5d/3d封装的浓厚兴趣。

虽然格芯遗憾退出了7nm节点，但12nm相当成熟稳定，也许对于做3d芯片可以减少很多未知问题。