铠侠、西数的BiCS5闪存还不是完整版 100%性能提升不见了

前几天西数、铠侠（原东芝存储）各自宣布了新一代bics5技术的3d闪存，，io接口速度提升40%，同时qlc型闪存核心容量可达1.33tb，目前是世界最高水平的。

铠侠、西数表示bics5闪存初期会以512gb核心的tlc开始量产，后续会提供更多容量选择，包括最高密度的1.33tb qlc闪存，预计2020年下半年开始商业化量产，主要生产工厂是日本三重县四日市及岩手县北上市的晶圆厂。

那实际到底如何呢?德国computerbase网站根据铠侠、西数以往的数据做了个汇总，不同类型的3d闪存的存储密度如下：

三星512gb的64层闪存密度是每平方毫米4.0gb，美光/intel的64层256gb闪存密度是每平方毫米4.3gb，东芝的96层bics4闪存512gb闪存密度是每平方毫米5.9gb，而之前东芝公布的128层bics5闪存、512gb容量的密度就有每平方毫米7.8gb了，96层的qlc闪存、1.33tb版密度可达每平方毫米8.5gb。

从这些数据来看，东芝宣称的世界密度最高是没什么问题，其实从2d闪存时代东芝的bics技术在存储密度上有很有优势。

不过与去年isscc会议上公布的bics5闪存技术相比，东芝、西数目前量产的bics5闪存也是缩水的，首先层数是112层而非128层，而且去年宣称的4平面架构、性能提升100%的说法也没有出现在当前的声明中，现在量产的bics5闪存主要是存储密度、io接口、堆栈层数、生产效率上的改进，性能不是重点。

这也意味着铠侠、西数很有可能还有更高级的bics5闪存待发，目前的不是完整版，大概率是为了确保量产而精简优化了，毕竟层数超过100+之后，3d闪存的难度也在提升。