场效应管好坏测量
程序员文章站
2022-06-07 22:09:45
场效应管好坏测量1.判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此脚为G极,因为它和另外两个管脚是绝缘的。... 10-09-08...
1.判定栅极g
将万用表拨至r×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此脚为g极,因为它和另外两个管脚是绝缘的。
2.判定源极s、漏极d
由图1可见,在源-漏之间有一个pn结,因此根据pn结正、反向电阻存在差异,可识别s极与d极。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是s极,红表笔接d极。
3.测量漏-源通态电阻rds(on)
将g-s极短路,选择万用表的r×1档,黑表笔接s极,红表笔接d极,阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同,测出的rds(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表r×1档实测一只irfpc50型vmos管,rds(on)=3.2w,大于0.58w(典型值)。
检查跨导
将万用表置于r×1k(或r×100)档,红表笔接s极,黑表笔接d极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有明显偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高。
注意事项:
(1)vmos管亦分n沟道管与p沟道管,但绝大多数产品属于n沟道管。对于p沟道管,测量时应交换表笔的位置。
(2)有少数vmos管在g-s之间并有保护二极管,本检测方法中的1、2项不再适用。
(3)目前市场上还有一种vmos管功率模块,专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国ir公司生产的irft001型模块,内部有n沟道、p沟道管各三只,构成三相桥式结构。
(4)现在市售vnf系列(n沟道)产品,是美国supertex公司生产的超高频功率场效应管,其最高工作频率fp=120mhz,idsm=1a,pdm=30w,共源小信号低频跨导gm=2000μs。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
(5)使用vmos管时必须加合适的散热器后。以vnf306为例,该管子加装140×140×4(mm)的散热器后,最大功率才能达到30w。
(6)多管并联后,由于极间电容和分布电容相应增加,使放大器的高频特性变坏,通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此,并联复合管管子一般不超过4个,而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。
将万用表拨至r×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此脚为g极,因为它和另外两个管脚是绝缘的。
2.判定源极s、漏极d
由图1可见,在源-漏之间有一个pn结,因此根据pn结正、反向电阻存在差异,可识别s极与d极。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是s极,红表笔接d极。
3.测量漏-源通态电阻rds(on)
将g-s极短路,选择万用表的r×1档,黑表笔接s极,红表笔接d极,阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同,测出的rds(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表r×1档实测一只irfpc50型vmos管,rds(on)=3.2w,大于0.58w(典型值)。
检查跨导
将万用表置于r×1k(或r×100)档,红表笔接s极,黑表笔接d极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有明显偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高。
注意事项:
(1)vmos管亦分n沟道管与p沟道管,但绝大多数产品属于n沟道管。对于p沟道管,测量时应交换表笔的位置。
(2)有少数vmos管在g-s之间并有保护二极管,本检测方法中的1、2项不再适用。
(3)目前市场上还有一种vmos管功率模块,专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国ir公司生产的irft001型模块,内部有n沟道、p沟道管各三只,构成三相桥式结构。
(4)现在市售vnf系列(n沟道)产品,是美国supertex公司生产的超高频功率场效应管,其最高工作频率fp=120mhz,idsm=1a,pdm=30w,共源小信号低频跨导gm=2000μs。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
(5)使用vmos管时必须加合适的散热器后。以vnf306为例,该管子加装140×140×4(mm)的散热器后,最大功率才能达到30w。
(6)多管并联后,由于极间电容和分布电容相应增加,使放大器的高频特性变坏,通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此,并联复合管管子一般不超过4个,而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。
上一篇: RT9241电源IC在线测试数据
下一篇: 阻止通电自动开机