欢迎您访问程序员文章站本站旨在为大家提供分享程序员计算机编程知识!
您现在的位置是: 首页  >  科技

100万次写入寿命 国内首条28/22nm ReRAM 12寸芯片生产线来了

程序员文章站 2022-06-04 08:16:17
存储芯片中除了nand闪存及dram内存之外,还有多种技术选择,reram(非易失性阻变式存储器)就是其中一种,其写入寿命可达100万次,此前主要是生产难度大,现在杭州昕原半导体主导建设了国内首条28...

存储芯片中除了nand闪存及dram内存之外,还有多种技术选择,reram(非易失性阻变式存储器)就是其中一种,其写入寿命可达100万次,此前主要是生产难度大,现在杭州昕原半导体主导建设了国内首条28/22nm reram 12寸中试生产线。

据杭州日报消息,昕原半导体主导建设的国内首条28/22nm reram(阻变存储器)12寸中试生产线顺利完成了自主研发设备的装机验收工作,实现了中试线工艺流程的通线,并成功流片(试生产)。

传统cmos代工厂或因囿于资源所限,迭代速度较慢,从而影响工艺开发进度,而国内各大科研院所虽可在实验室阶段加快迭代速度,但没有标准的12寸量产产线,实验成果往往很难走向量产。

昕原自行搭建的28/22nm reram(阻变存储器)12寸中试生产线就解决了上述问题。汲取了代工厂和实验室的长处,迭代速度快, 产线灵活,拥有自主可控的知识产权,使得reram相关产品的快速实现变成了可能。

“作为大陆首条28/22nm reram12寸中试生产线,我们产线的顺利导通并完成产品的验证和实现量产,将极大带动我国新型存储行业发展。

昕原半导体相关负责人表示,而在这一领域,目前国内外差距较小,壁垒尚未形成,为我国存储器产业实现弯道超车提供了可能。

100万次写入寿命 国内首条28/22nm ReRAM 12寸芯片生产线来了

- the end -

转载请注明出处:快科技

相关标签: 内存 磁阻内存