简单解释ROM、RAM、FLASH

半导体存储器按照功能分类可分为可分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM），易失性存储器是指RAM，非易失性存储器是指ROM、FLASH、光盘、软盘和机械硬盘。

下面介绍易失性存储器。RAM包含DRAM和SRAM

1. DRAM（动态存储器）
   DRAM利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特是1还是0。由于在现实中电容会有漏电的现象，导致电位差不足而使记忆消失，因此除非电容经常周期性地充电，否则无法确保记忆长存。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为动态存储器。DRAM保存数据靠电容充电来维持。
   DRAM的优势在于结构简单，每一个比特的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高，因此成本较低。DRAM的缺点是访问速度较慢，耗电量较大。DRAM通常用作内部存储器，如PC内存，从价格上来说DRAM要便宜很多。
2. SRAM（静态存储器）
   静态，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。SRAM由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路组成，容量的扩展有两个方面：位数的扩展（即宽度）采用芯片的并联，字数的扩展（即深度）可用外加译码器控制芯片的片选输入端。
   SRAM是比DRAM更为昂贵，更为快速、非常低功耗（特别是在空闲状态）。主要区别是由电路结构决定的。因此SRAM首选用于带宽要求高，或者功耗要求低，或者二者兼而有之。SRAM比起DRAM更为容易控制，也更是随机访问。由于复杂的内部结构，SRAM比DRAM的占用面积更大，因而不适合用于更高储存密度低成本的应用，如PC内存。由于SRAM价格昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

下面介绍非易失性存储器。

	ROM是只读储存器，只读存储器的特点是只能读出不能随意写入信息，在主板上的ROM里面固化了一个基本输入/输出系统，称为BIOS。其主要作用是完成对系统的加电自检、系统中各功能模块的初始化、系统的基本输入/输出的驱动程序及引导操作系统。
	FLASH是一种可以写入和读取的存储器，称为闪存。FLASH又分为NOR FLASH和NAND FLASH。