西数发布新一代UFS 3.1闪存：最大512GB、写入1.55GB/s

西数日前发布了新一代ufs 3.1闪存——inand mc eu551系列，主要针对最新的5g手机，最大容量512gb，写入速度可达1550mb/s。

idc预计2021年5g手机将占全球出货量的40%，2025年进一步提升到69%的比例，随着网络速度的提升，5g手机对存储容量、性能的要求也会提高，特别是vr/ar、游戏及8k视频等应用的普及。

西数推出的inand mc eu551是他们的第二代ufs 3.1闪存，采用了最新的闪存，专为5g旗舰手机、平板设计，支持ufs 2.1/3.0/3.1 gear 4, 2-lanee，支持rite booster 和 host performance booster 2.0，写入速度可达1550mb/s，性能与桌面nvme硬盘有得一拼了。

容量方面，inand mc eu551系列有128、256及512gb三种，预计今年7月份开始上市，下半年的5g旗舰有望搭载，不过售价没公布。

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