STT-MRMA技术优点

到目前为止，设计人员可以使用的存储技术是易变的，这意味着在断电后，存储器中的数据内容会丢失。但是，随着everspin technologies推出256mb stt-mram，系统现在可以拥有像dram这样具有高性能的内存，但可以提供持久的非易失性数据存储。

图1：stt-mram

stt-mram代表自旋转移转矩磁阻随机存取存储器。写入stt-mram设备的任何数据本来就是持久的，不需要任何电池或超级电容器。通过写入存储阵列来捕获数据，该存储阵列可利用极化电流控制电子自旋。 stt-mram的性能类似于dram，但不需要刷新。当前可用的接口是st-ddr3，它与标准jedec ddr3非常相似。将来还将提供st-ddr4接口，从而带来更高的速度和更大的容量。
stt-mram技术的一些优点是：
•非易失性数据
•性能特征类似于dram

记忆
•十亿次以上的数据耐久性
•ddr3兼容封装和未来的ddr4

兼容的脚印
•st-ddr3接口和将来的st-ddr4接口
•字节读写（无块）

stt-mram是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器mram 的二代产品。stt-mram存储单元的核心仍然是一个mtj，由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成，它是通过自旋电流实现信息写入的