欢迎您访问程序员文章站本站旨在为大家提供分享程序员计算机编程知识!
您现在的位置是: 首页

开关电源损耗分析 以Buck为例

程序员文章站 2022-04-07 12:37:18
...

PART1:前言

本文以一个12V-2.5V/2A的DC-DC电源为例,阐述BUCK电路损耗产生及其估算算法。
先做以下几点声明:
1、开关电源的主功率开关管的工作区域:开区和关区,实际上是线性区(可变电阻区)和截至区,一定注意,不是饱和区和截止区。
解释1:MOS工作区域的划分可以根据Vds与Vgs-Vth的大小关系判定(Vds表示漏源电压),具体如下:
开关电源损耗分析 以Buck为例
当然, 处于线性和饱和区之间,归结在任意一区域即可。

关于为什么开关电源功率管是工作在线性区和截止区的原因有:
【1】线性区时,Vds较小,相对损耗也较小,相反饱和区Vds较大;
【2】线性区时,具有较小的交流阻抗,即电压变化引起的电流变化较大,这样,才符合开关电源工作时,电感电流线性变化的趋势(电感储能阶段电流线性上升),而饱和区MOS具有恒流特性(尽管存在沟道调制效应,但是前提依然是在恒流前提缓慢增加电流跟随于Vds增加,但这增长速度不足以匹配电感电流增长速度);
【3】所谓饱和区,实际上对应BJT的放大区,根据对偶特点,BJT为电流控制型器件,电流饱和的原因是由于Uce达到一定后集电区收集电子的能力饱和;而MOS为电压(电场)控制型器件,电流饱和的原因是载流子速度饱和(I=Qd*v,v不再增加进而I恒定饱和)。

2、对于BUCK变换器,越小的duty(输出电压越低,即输入输出压差越大),那么二极管所在续流回路产生的损耗越大。

PART2:开关电源损耗估算算法

这里介绍的方法不仅针对于BUCK变换器,但对于其他拓扑结构,分析方法大同小异,这里抛砖引玉,不作具体的推导。
图1是典型BUCK电路的原理图,现作以下说明:
开关电源损耗分析 以Buck为例

以及各关键波形如下图2所示:
开关电源损耗分析 以Buck为例

[1]电感电流iL,峰值为Ip,谷值电流Iv;
[2]S为主功率开关管,正向导通压降Vsw_top,导通内阻为Rsw_top(主要为了区分同步整流时下管S_bot);
[3]开关频率为Fs,周期为Ts,占空比D;
[4]续流二极管D的正向压降为VF;

开关电源的损耗主要包括开关器件和二极管的传导损耗(导通损耗)以及开关损耗(交叉损耗或者动态损耗、开关损耗),当然还有在L、C上的传导损耗(等效DCR和ESR上的损耗)。

【1】上管S的损耗

[1-1]S上的传导损耗,主要由duty期间,S正向导通产生;
(由于公式不能编辑,以下公式部分采用截图方式)
开关电源损耗分析 以Buck为例
开关电源损耗分析 以Buck为例

[1-2]S上的交叉损耗,
在开关交替的短暂时间内,由于开启和关闭的延迟效应,导致Uds和Id波形存在交叉三角形区域,进而造成交叉损耗(关断时的Vds和导通后的Ids),在交叉时间间隔内,MOS开启延迟时间ton,关闭延迟toff,如下图3所示;
开关电源损耗分析 以Buck为例

开关电源损耗分析 以Buck为例

但在实际估算时,最好于鏊用占空比的百分比来计算。

【2】续流二极管损耗分析:

[2-1]传导损耗:
开关电源损耗分析 以Buck为例

开关电源损耗分析 以Buck为例

附注:正常开关管+二极管的BUCK结构的损耗由上给出,特别地,当采用同步整理拓扑结构时,下管也是MOS,记为Bot_MOS,损耗分析计算同上管。

【3】储能元件损耗分析:

即电感和电流的损耗分析,主要是传导损耗,类似地,
开关电源损耗分析 以Buck为例

PART3:实例分析

以下以本人设计的一款开关电源demo板为例,由于是高压差DC-DC,在效率分析时,首先进行损耗分析计算尤为重要。以下是本次设计的相关参数:

1】VIN=12V,Vo=2.5V,Io_tot=2A,采用Lt8650s-1主芯片设计实现,由于采用的是两相并联输出,故平均每一通道,Io=1A;
【2】该芯片内部采用同步整流结构,
上管top_mos参数:Vsw_top_max=0.3V,Isw_top_max=12A,以rds_top=0.3/12=0.025
下管bot_mos参数:Vsw_top_max=0.12V,Isw_top_max=8.5A,rds_bot=0.12/8.5=0.0143】Fs=2MHz,D=2.5/2=0.214】查找电感手册知rL+rC=0.025】电感电流波动以75%分析,即Ip=1.75A,Iv=0.25A
【6】L=1uH,则上升阶段(12-2.5/1=9.5,下降阶段2.5/1=2.57】 占最小导通时间的25%,为30ns*0.25=7.5ns

开关电源损耗分析 以Buck为例

可见,开关电源中MOS损耗中动态损耗占主要,尤为表现在高频时。
而在本次设计中,实物的调试数据如下,得到效率为:
开关电源损耗分析 以Buck为例
开关电源损耗分析 以Buck为例

注意:上述推导过程中, 开关时间ton+toff,这里采用的估算算法不应该用占空比的百分比来估算,因为在不同应用中占空比是会发生变化的,作为比较准确的估算方法,应该利用MOS的最小导通时间的百分比进行估算,因为一般地最小导通时间为固定值,相应地 ton+toff也为一个固定值。本文给出2A时的最小导通时间为30ns,取25%则得到30*0.25=7.5ns,而实际计算采用的是9ns。

但实际中该估算不一定很准确,所以在精确估算时需要考究估算的准确性。

为了验证该法的正确性,对比官方手册中的数据精确损耗分析。如下图5,是官方手册上给定的参考输出效率值。
开关电源损耗分析 以Buck为例

Case1:12-5/2A输出,Fs=2MHz,ηmax=94.6%。

使用本文算法进行估算,具体求解过程如下:
开关电源损耗分析 以Buck为例
可知,计算值94.06%与手册上94.6%十分接近。

Case2:12-5/4A输出

开关电源损耗分析 以Buck为例

可知,计算值92.56%与手册上93.3%比较接近。
上述开关延迟时间总和 计算。因为该参数在芯片手册中没有直接给出,手册只给了开关时间上升沿时间约为2ns,则估算值ton=3ns,toff=2*ton=6ns,共计9ns。