美光全球首创1αnm内存工艺：LPDDR5容量密度大涨40％

美光今天宣布，已经开始批量出货基于1αnm工艺的dram内存芯片，这也是迄今为止最先进的dram工艺，可明显提升容量密度、性能并降低功耗。

不同于cpu、gpu等新品，dram内存、nand闪存的工艺节点都不使用明确的数字，而是1x、1y、1z、1α等等，越往后越先进，或者说1xnm比较接近20nm，1αnm则更接近10nm。

美光的1αnm dram工艺可适用于各种不同的内存芯片，尤其适用于最新旗舰手机标配的lpddr5，相比于1z工艺可以将容量密度增加多达40％，同时还能让功耗降低15％，能让5g手机性能更好、机身更轻薄、续航更持久。

ddr4、lpddr4甚至是未来的ddr5，同样都能使用这种新工艺，并支持智能手机、笔记本、台式机、服务器、嵌入式等各种应用设备。

美光*晶圆厂已经开始量产并出货1αnm dram内存芯片，首批是ddr4内存条，隶属于crucial英睿达品牌，还在试产和评估lpddr4，后续会用于更多内存类型。

 

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