辟谣！ SSD固态硬盘不通电就会坏？

最近有一篇关于ssd固态硬盘数据可靠性的文章很流行，说是希捷的一位工程师alvin cox研究发现固态硬盘在不通电的情况下数据会随着时间流失，而且温度对ssd可靠性也有非常大的影响，最后总结出大多数ssd的可靠年限只有2年，建议重要数据不要用ssd保存。权威专家+可怕的后果+危言耸听的写法——这简直是完美的qq空间以及现在的微信圈范本，尼玛，什么时候这也扩散到diy圈子了？

虽然现在大家都知道了ssd的好处了，但ssd始终绕不开的一个问题就是数据可靠性，先天性的p/e操作既给了ssd超强的性能，也给它带来了隐患——数据寿命是有限的，升级带tlc会导致寿命减少，升级到更先进的制程也会导致寿命减少，不明真相的人民群众难免要怀疑ssd的寿命了，这本来很合理，但前面提到的那个ssd不通电都能导致数据流失的传闻是真的吗？

一个成功的谣言绝不会100%都是错误的，高明的撒谎者总会三分真中掺杂七分假，前面这个谣言也是如此——ssd不通电会流失数据以及温度对ssd寿命有影响的说法是对的，但把这个影响夸张到如此地步就不对了，anandtech网站现在就出了一个打脸辟谣文章。

首先是前面那个报告作者alvin cox的身份，这篇报告并不是出自希捷公司的，而是jedec组织，alvin cox曾是jc-64.8标准小组（也就是ssd委员会）的主席，不过有一点是正确的——alvin cox本人确实是希捷公司资深工程师，只不过这跟他发表报告无关，jedec组织本身就是厂商们的联合组织，成员来自不同厂商是很正常的事，目前jc-64.8标准小组是hgst公司的frank chu领导的。

在回答前面有关ssd数据保留问题之前，我们先来了解下厂商是如何确定ssd可靠率的。首先，ssd必须保证一定的容量，因此不可能把很多区块（blocks）用于op空间之类，这样做会降低用户的可用容量（ssd的这个特点可以参考我们之前的文章解释）。第二，ssd必须达到规定的uber及ffr指标，下面的表格解释了uber和ffr的含义，前者是ssd读取字节中出错的字节比例，ffr则是功能失效的比例，消费级及企业级ssd在这两个指标上有不同的要求，消费级ssd的uber是10-15，也就是1/1015的字节读取失败率，ffr不能高于3%。

最后一点就是ssd不通电状态下要达到jedec规定的数据保存率，消费级ssd是30°c温度下1年，企业级是40°c下三个月。

以上指标最后都是用tbw来表示，这也就是我们看到的ssd标识中数据写入量的意义，比如100tb数据写入寿命，这意味着在写入100tb数据时其指标也能达到上述要求。

这个表格来自intel

温度确实也会对ssd的数据保存造成影响，从intel给出的消费级ssd关机温度及活动温度下的保存时间来看，40°c活动温度、30°c关机温度下ssd的数据保存时间是52周，也就是一年。关机温度越高，ssd数据保存时间就会越短，活动温度25-30°c但关机温度55°c时，ssd保存数据的时间就只有1周了，这就是之前的谣言中“数据保存时间只有几天”的来源了，这种情况确实会发生，但根本不具有代表性。

现实中55°c的关机温度几乎不可能（ps：如果真有这样的情况，我觉得这时候应该先关心自己的人身安全而非数据安全了），因为大部分ssd还是在室温环境下使用，温度通常都在30°c以内。活动时的温度通常是40°c左右，系统内其他部件也会产生热量的。

最后从技术上解释下这个数据保存的问题。半导体的导电性跟温度息息相关，这对nand闪存来说不是好消息，因为断电之后电子理应不再移动，否则就会改变cell单元的电荷。换句话说，随着环境温度的升高，电子会更快地从浮栅极逃离，最终会导致cell单元的电压状态改变，导致数据不可读。（也就是ssd不能再保存数据）

活动状态下则是另一回事，更高的温度会硅基导电性更高，p/e操作过程中电流量更高，隧道氧化层的压力更少，这会提高cell单元的可靠性，因为ssd可靠性主要就是受限于隧道氧化层保持浮栅极中的电子的能力。（nand的读写原理也可以参考我们之前的文章）

总之，在典型的ssd使用环境下，我们根本不需要担心ssd的数据保留问题。前面的表格还只是通过了可靠性测试，全新的ssd数据保留率会更高，对mlc nand闪存来说通常是10年。如果你买了一个ssd放着不用，那么它直接被淘汰的可能性实际上比ssd不能保留数据的可能性更大。