投资180亿美元 三星有意在美国建5nm EUV芯片厂：2024量产

在新一代半导体工艺中，美国本土的厂商已经落后于三星、台积电，intel最先进的工艺现在还是10nm。日前有消息称三星准备在美国建设5nm euv芯片厂。

据韩媒援引业内人士消息，三星电子已决定在美国得克萨斯州奥斯丁设立euv半导体工厂，以满足日益增长的小型芯片需求和美国重振半导体计划。

该工厂将采用5nm制程，计划于今年q3开工，2024年投产，预计耗资180亿美元。

这次在美国建厂也是三星电子首次在韩国之外设立euv产线。

业内估计三星将在5月21日左右就此发布正式公告。

在此之前，台积电去年宣布，将在美国亚利桑那州建设一座芯片工厂，建成之后将采用5nm工艺为相关的客户代工芯片，计划月产能20000片晶圆，这一工厂计划2021年开始建设，目标是2024年投产，台积电计划2021年到2029年在这一工厂投资120亿美元。

最新消息称，台积电管理层目前正在讨论，他们在美国的下一座芯片工厂，是否采用更先进的3nm制程工艺，为相关的客户代工芯片。

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