SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成：8Gb容量、功耗减少15%

11月12日消息，sk hynix（sk海力士）宣布研发完成基于1ynm工艺的8gb（1gb）容量ddr4 dram芯片。

该芯片最高支持3200mbps，即3200mhz频率，号称可以提供最佳的性能和容量密度。

技术指标方面，相较于1xnm，1ynm芯片的生产率提高了20%，功耗降低了15%。

sk海力士还表示，新的1ynm芯片还显著提高了传感器精准度、调整了晶体管结构，使得数据传输的出错率降低。

官方称，1ynm ddr4 dram芯片将于明年一季度出货，率先用于服务器和pc产品上，最后向手机等领域推广。

科普：

在存储芯片从20+nm进入10+nm工艺之后，厂商对工艺的描述已经不再使用具体的数字了，20nm之后是1x nm工艺，再往后则是1y nm工艺，还有1z nm工艺的说法，至于xyz具体的含义，由于每家公司的工艺并不一样，所以缺少详细的解释。