充电：nand flash和nor flash有什么不同?
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2022-06-27 15:53:21
充电：nand flash和nor flash有什么不同? NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND f... 09-04-21...
nor和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。intel于1988年首先开发出nor flash技术，彻底改变了原先由eprom和eeprom一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清nor和nand闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“nor存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚nand闪存技术相对于nor技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时nor闪存更适合一些。而nand则是高数据存储密度的理想解决方案。
nor的特点是芯片内执行(xip, execute in place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统ram中。nor的传输效率很高，在1～4mb的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
nand结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用nand的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。nand器件执行擦除操作是十分简单的，而nor则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除nor器件时是以64～128kb的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除nand器件是以8～32kb的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了nor和nadn之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于nor的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
● nor的读速度比nand稍快一些。
● nand的写入速度比nor快很多。
● nand的4ms擦除速度远比nor的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● nand的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
接口差别
nor flash带有sram接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
nand器件使用复杂的i/o口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
nand读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于nand的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
容量和成本
nand flash的单元尺寸几乎是nor器件的一半，由于生产过程更为简单，nand结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
nor flash占据了容量为1～16mb闪存市场的大部分，而nand flash只是用在8～128mb的产品当中，这也说明nor主要应用在代码存储介质中，nand适合于数据存储，nand在compactflash、secure digital、pc cards和mmc存储卡市场上所占份额最大。
可*性和耐用性
采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可*性。对于需要扩展mtbf的系统来说，flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的可*性。
寿命(耐用性)
在nand闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍，每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，nand发生的次数要比nor多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。
当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(edc/ecc)算法。位反转的问题更多见于nand闪存，nand的供应商建议使用nand闪存的时候，同时使用edc/ecc算法。
这个问题对于用nand存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用edc/ecc系统以确保可*性。
坏块处理
nand器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。
nand器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可*的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口，nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向nand器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在nand器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
软件支持
当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。
在nor器件上运行代码不需要任何的软件支持，在nand器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(mtd)，nand和nor器件在进行写入和擦除操作时都需要mtd。
使用nor器件时所需要的mtd要相对少一些，许多厂商都提供用于nor器件的更高级软件，这其中包括m-system的trueffs驱动，该驱动被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等厂商所采用。
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
相“flash存储器”经常可以与相“nor存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚nand闪存技术相对于nor技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时nor闪存更适合一些。而nand则是高数据存储密度的理想解决方案。
nor的特点是芯片内执行(xip, execute in place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统ram中。nor的传输效率很高，在1～4mb的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
nand结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用nand的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。nand器件执行擦除操作是十分简单的，而nor则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除nor器件时是以64～128kb的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除nand器件是以8～32kb的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了nor和nadn之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于nor的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
● nor的读速度比nand稍快一些。
● nand的写入速度比nor快很多。
● nand的4ms擦除速度远比nor的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● nand的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
接口差别
nor flash带有sram接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
nand器件使用复杂的i/o口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
nand读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于nand的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
容量和成本
nand flash的单元尺寸几乎是nor器件的一半，由于生产过程更为简单，nand结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
nor flash占据了容量为1～16mb闪存市场的大部分，而nand flash只是用在8～128mb的产品当中，这也说明nor主要应用在代码存储介质中，nand适合于数据存储，nand在compactflash、secure digital、pc cards和mmc存储卡市场上所占份额最大。
可*性和耐用性
采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可*性。对于需要扩展mtbf的系统来说，flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的可*性。
寿命(耐用性)
在nand闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍，每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，nand发生的次数要比nor多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。
当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(edc/ecc)算法。位反转的问题更多见于nand闪存，nand的供应商建议使用nand闪存的时候，同时使用edc/ecc算法。
这个问题对于用nand存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用edc/ecc系统以确保可*性。
坏块处理
nand器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。
nand器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可*的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口，nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向nand器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在nand器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
软件支持
当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。
在nor器件上运行代码不需要任何的软件支持，在nand器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(mtd)，nand和nor器件在进行写入和擦除操作时都需要mtd。
使用nor器件时所需要的mtd要相对少一些，许多厂商都提供用于nor器件的更高级软件，这其中包括m-system的trueffs驱动，该驱动被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等厂商所采用。
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。